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1N5550


SI Diode
UR 200V
IF 3A
- -
trr 2µS
- -
- -
die 1N5550 ist eine Silizium Diode, U = 200V, I = 3A, Anwend: schneller Gleichrichter
Photo: -
Quelle: General Semiconductor Po...... [mehr]
General Semiconductor Power Rectifiers and Transient Voltage Suppressors 1998
Erweiterte Informationen zu 1N5550
OEM:General Semi... [mehr]
General Semiconductor Industries, Inc. USA
Gehäuse: G4
1N5550 Datenblatt (jpg):verfügbar
1N5550 Datenblatt (pdf):verfügbar
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:-
Ähnliche Typen: ↑BY251, [mehr]
BY251,BYW17/200,BYW82
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1N5550


SI Diode
UR 200V
IF 3A
- -
trr 2µS
- -
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die 1N5550 ist eine Silizium Diode, U = 200V, I = 3A, Anwend: schneller Gleichrichter
Photo: -
Quelle: General Semiconductor Po...... [mehr]
General Semiconductor Power Rectifiers and Transient Voltage Suppressors 1998
Erweiterte Informationen zu 1N5550
OEM:General Semi... [mehr]
General Semiconductor Industries, Inc. USA
Gehäuse: G4
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Ähnliche Typen: ↑BY251, [mehr]
BY251,BYW17/200,BYW82
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SI Diode
UR 200V
IF 3A
- -
trr 2µS
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die 1N5550 ist eine Silizium Diode, U = 200V, I = 3A, Anwend: schneller Gleichrichter
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General Semiconductor Power Rectifiers and Transient Voltage Suppressors 1998
Erweiterte Informationen zu 1N5550
OEM:General Semi... [mehr]
General Semiconductor Industries, Inc. USA
Gehäuse: G4
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Ähnliche Typen: ↑BY251, [mehr]
BY251,BYW17/200,BYW82
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp

BY251


SI Diode
similar to 1N5550, see note
UR 200V
IF 3A
- -
- -
- -
TJ 150°C
die BY251 ist eine Silizium Diode, U = 200V, I = 3A, Anwend: Universaltyp, Gleichrichter
Photo: -
Quelle: Jn Intermetall Di/Z/Gl/Th...... [mehr]
Jn Intermetall Di/Z/Gl/Thy Datenbuch 74/75
Ähnlicher Typ: BY251
OEM:Intermetall... [mehr]
Intermetall Halbleiterwerk ITT-Industries
Gehäuse: RD5X9,5
BY251 Datenblatt (jpg):verfügbar
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Ähnliche Typen: ↑-
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Jn Intermetall Di/Z/Gl/Thy Datenbuch 74/75
Ähnlicher Typ: BY251
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Intermetall Halbleiterwerk ITT-Industries
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Jn Intermetall Di/Z/Gl/Thy Datenbuch 74/75
Ähnlicher Typ: BY251
OEM:Intermetall... [mehr]
Intermetall Halbleiterwerk ITT-Industries
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BYW82


SI Diode
similar to 1N5550, see note
GFX
UR 200V
IF 3A
- -
trr 6µS
- -
TJ 175°C
die BYW82 ist eine Silizium Diode, U = 200V, I = 3A, Anwend: Leistungsgleichrichter, Universaltyp, Controlled Avalanche (kontrolliertes Durchbruchsverhalten), Daten vergleichbar mit 1N5624
Photo: -
Quelle: Tf Telefunken Dioden 1988
Ähnlicher Typ: BYW82
OEM:AEG Telefunk... [mehr]
AEG Telefunken / Telefunken electronic
Gehäuse: SOD64
BYW82 Datenblatt (jpg):verfügbar
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Quelle: Tf Telefunken Dioden 1988
Ähnlicher Typ: BYW82
OEM:AEG Telefunk... [mehr]
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Gehäuse: SOD64
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BYW82


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IF 3A
- -
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die BYW82 ist eine Silizium Diode, U = 200V, I = 3A, Anwend: Leistungsgleichrichter, Universaltyp, Controlled Avalanche (kontrolliertes Durchbruchsverhalten), Daten vergleichbar mit 1N5624
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Quelle: Tf Telefunken Dioden 1988
Ähnlicher Typ: BYW82
OEM:AEG Telefunk... [mehr]
AEG Telefunken / Telefunken electronic
Gehäuse: SOD64
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